摘要：2022年，美光、SK海力士、三星等相继量产了232层3D NAND Flash，但是在美方的制裁之下，长存128层及以上NAND Flash的供应链受到严重阻碍。在此背景之下，这些国际大厂纷纷加速迈向300层，希望能主导未来3D NAND Flash的技术路线。 2022年，美光、SK海力士、三星等 ...

华经产业研究院为助力企业、科研、投资机构等单位了解NAND FLASH存储器行业发展态势及未来趋势，特重磅推出《2025-2031年中国NAND FLASH存储器行业市场发展监测及投资潜力预测报告》，本报告由华经产业研究院研究团队对NAND FLASH存储器行业进行多年跟踪研究 ...

12月9日消息，根据韩国媒体BusinessKorea报道称，三星电子在其半导体研究所中已经成功完成了突破性400层堆叠NAND Flash闪存技术的开发。同时，三星也自上个月开始，将这项先进技术转移到其平泽园区一号工厂中大规模生产线。而这一重要的里程碑的达成，将使得 ...

目前市场主流的半导体存储器为DRAM（动态随机存储）、NAND Flash 和 NOR Flash。DRAM 集成度高、价格便宜、功耗低、存取速度慢。Flash 可分为NOR Flash和NAND Flash两大类：NAND容量大、单位容量成本低，NOR读取速度快、可靠性高、擦除速度快。NOR Flash以编码应用为主，其 ...

NAND FLASH是和DRAM一样重要的存储芯片，目前容量存储技术TLC向QLC过渡，单个3D NAND 闪存颗粒容量达到1TB。中国作为最大的NAND FLASH需求领域，未来前景巨大。 容量不断提升 NAND闪存卡的主要分类以NAND闪存颗粒的技术为主，NAND闪存颗粒根据存储原理分为SLC、MLC、TLC和 ...

对于现在越来越多的嵌入式应用, 256Mb 内存已经不敷使用, 尤其在汽车系统中最为明显。从先进驾驶辅助系统 (ADAS) 到完全自动驾驶, 复杂的汽车应用将更需要高容量的内存(有些应用容量需求高达 2Gb (或 256MB)), 这对设计者而言, 成本的考虑变得相对重要许多 。

行业主要上市公司：中芯国际(688981)、兆易创新(603986)、紫光国微(002049)、普冉股份(688766)、聚辰股份(688123)、澜起科技(688008)、北京君正(300223)等 从SLC到QLC，每个存储单元能存储的数据从1位增加至4位，状态从2种增加至16种，存储空间迅速增加。过去NAND Flash为2D ...

江波龙（股票代码：301308）近期发布了中国大陆首款FORESEE 512Mb SPI NAND Flash。FORESEE 512Mb SPI NAND Flash由江波龙完全自主研发，能够极大地帮助客户降低整机系统成本，并提 江波龙（股票代码：301308）近期发布了中国大陆首款FORESEE 512Mb SPI NAND Flash。 FORESEE 512Mb SPI ...

NAND FLASH是和DRAM一样重要的存储芯片，目前容量存储技术TLC向QLC过渡，单个3D NAND 闪存颗粒容量达到1TB。中国作为最大的NAND FLASH需求领域，未来发展前景巨大。 1、全球NAND FLASH市场容量不断提升 NAND闪存卡的主要分类以NAND闪存颗粒的技术为主，NAND闪存颗粒根据 ...

Within a few years, you’ll likely be carrying a smartphone, tablet or laptop with hundreds of gigabytes or even terabytes of hyper fast, non-volatile memory, thanks to two memory developments unveiled ...